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Gallium Nitride (GaN)

Gallium Nitride (GaN)
CoolGaN™:新たなパワー・パラダイム
最高の効率と信頼性
窒化ガリウム(GaN)には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があります。特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性です。またシリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適です。

回路図の説明

回路図の説明
CoolGaN™ 600V エンハンスモード GaN HEMTs
最高の品質を備えたクラス最高レベルの効率とパワー密度
窒化ガリウム(GaN)には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があります。GaNの優れた臨界電場は 、シリコンスイッチに比べて特性オン抵抗が大きく、容量が小さいパワー半導体デバイスにとって大きな利点であるため、GaN HEMTは高速スイッチングに適しています。
エンハンスモードのコンセプトは、チップまたはパッケージレベルでの統合への優れた方法を提供すると同時に、ターンオンおよびターンオフを高速化します。CoolGaN™を使用すれば、ハーフブリッジトポロジをシンプルにすることができます。 エンハンスモードは、マルチチップ統合に適しています。 強化モードに基づくソリューションが成熟化するにつれて、使いやすさとソリューション・コストに優れたソリューションとなります。
CoolGaN™ 600Vシリーズは、GaNに特化した特定認定プロセスに従って実現されており、市場で最も堅牢で信頼性の高いソリューションです。 CoolGaN™の製品ラインナップは、高い性能を発揮するSMDパッケージをベースとした、GaNのメリットを最大限に活用した製品群となっています。 (詳しくはコチラ

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<電源屋Satoshiのワンポイント・アドバイス>
CoolGaN™ 600V エンハンスモード GaN HEMTs の主な特長はズバリ、
600Vパワーデバイスで最高のFOM
ハード・スイッチング・トポロジーとソフトスイッチング・トポロジーに最適です。
電源ターンオンとターンオフ用に最適化済み
革新的なソリューションと大量生産を実現する最先端技術
CoolGaN™ 600V エンハンスモード GaN HEMTs の主な利点
スイッチング電源(SMPS)向けの最高効率
最高の電力密度、小型・軽量設計
表面実装パッケージの使用により、GaNのスイッチング機能を完全に利用可能
充実したドライバICラインナップによるICの使いやすさ

CoolGaN™ 600V エンハンスモード GaN HEMTs の競合製品に対する優位性はズバリ、
対象アプリケーション向けの最先端ソリューション
高品質製品の大量供給により、早期の市場投入が可能
優れた堅牢性と効率性を誇るGaN EiceDRIVER™ IC
インフィニオンのデバイス認証方法、FOM、信頼性試験結果、製品寿命、サプライチェーンのオーナーシップ、製品と価格のロードマップの差異化

CoolGaN™ 600V エンハンスモード GaN HEMTsの利点はズバリ、
力率改善 (PFC) 用 CoolGaNTM
力率改善(損失のある入力ブリッジ整流器の除去を含む)用に、よりシンプルなハーフブリッジトポロジ採用
BOM削減が期待できる効率性(>99%)
共振トポロジー向けの CoolGaN™
QossとQg を10分の1に低減することにより、 きわめて高い効率レベルで高周波数動作が可能
リニア出力容量により、デッドタイムが1/8~1/10に低減
デバイスの並列配置
熱管理の最適化による高電力密度化
NEXTY Electronics