お問い合わせ

LANGUAGE
  • 日本語
  • 英語

技術情報

民生品、産業機器向け , 産業機器 SMPS、電源 , コンシューマ・家電

ハイサイドゲートドライバIC │GaN EiceDRIVER™

ハイサイドゲートドライバIC  │GaN EiceDRIVER™
高耐圧GaNスイッチ用シングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC

CoolGaN™ e-mode HEMTは、インフィニオンのGaN EiceDRIVER™ ICである1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することにより、最適な駆動が行われます.
堅牢で高効率の高電圧GaNスイッチ動作を保証すると同時に, 研究開発の労力を最小限に抑え, 市場投入までの時間を短縮します.

回路図の説明

回路図の説明
<電源屋 Satoshi のワンポイント・アドバイス>
高耐圧スイッチ用GaN EiceDRIVER™シングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC
もっとも堅牢で高効率な市販のシングルチャネル絶縁型窒化ガリウム(GaN) EiceDRIVER™ ICを使用して、GaN HEMTを駆動。
CoolGaN™エンハンスモードHEMTは、インフィニオンのEiceDRIVER™ ICの1EDF5673K, 1EDF5673F, 1EDS5663Hを使用することで、最適な駆動を実現できます。これらの製品は、堅牢で高効率な高耐圧GaNスイッチ動作を行うと同時に、研究開発にかかる労力、および市場投入までの時間をも削減します。 (詳しくはコチラ

資料ダウンロード

GaN EiceDRIVER™シングルチャネル絶縁型ゲートドライバIC
主な特長
低抵抗出力: ソース: 0.85Ω シンク: 0.35Ω
シングルチャネル・ガルバニック絶縁: 機能絶縁:VIO= 1500VDC VIOWM = 510Vrms (16-pin DSO) VIOWM = 460Vrms (LGA 5x5) 強化絶縁:VIOTM = 8000Vpk (VDE 0884-10 未決定) VIOWM = 1420 VDC 最小同相過渡電圧耐性 (CMTI): 200V/ns
タイミング: 最小出力パルス幅:18ns 伝搬遅延精度:13ns

主な利点
正・負のゲート駆動電流:高速ターンオン/オフ GaNスイッチスルーレート
オフの期間、ゲート電圧ゼロを保持
GaNスイッチのスプリアス・ターンオンを回避
デッドタイム損失を最大50%低減
広範囲のスイッチング周波数とデューティサイクルにわたり、設定可能で一定したGaNスイッチングスルーレート。堅牢で高効率なSMPS設計および短期間で市場投入が可能。
ガルバニック絶縁内蔵
ハードスイッチングアプリケーションでの堅牢な動作
必要個所に安全な絶縁

評価ボードもご用意!!
GaN EiceDRIVER™を搭載した CoolGaN™ 600VエンハンスモードHEMTハーフブリッジ評価プラットフォーム EVAL_1EDF_G1_HB_GAN
専用GaNドライバーICを備えたシンプルなGaNハーフブリッジ
マルチMHzスイッチング周波数
ゼロ逆回復電荷:ハードスイッチング、ソフトスイッチングどちらにも対応
高消費電力向け表面冷却機能を備えたGaNトランジスタ
ほぼ全てのコンバータおよびインバータアプリケーション向けのビルディング・ブロックとして、ユニバーサル・ハーフブリッジトポロジーのGaN評価プラットフォームを提供します。

対象アプリケーション
サーバー、テレコム DC/DC、 データ通信、 アダプター、 充電器、 ワイヤレス充電器、 SMPS
NEXTY Electronics