2024年3月12日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、高電圧および高スイッチング周波数という厳しい条件下でもシステム信頼性を損なわず、電力密度を向上させるという設計者の要求を満たす、TO-247PLUS-4-HCCパッケージの2000 V CoolSiC™ MOSFETを発表しました。このCoolSiC™ MOSFETは、高いDCリンク電圧により、電流を増やすことなく電力を増やすことができます。これは、市場で初めて耐圧2000 Vクラスを実現したSiC MOSFETディスクリート デバイスであり、沿面距離14 mm、空間距離5.4 mmのTO-247PLUS-4-HCCパッケージで供給されます。スイッチング損失が小さいため、 太陽光発電 (ストリング インバーターなど) のほか、 蓄電システムや 電気自動車 (EV) 充電といったアプリケーションに適しています。

2000 V CoolSiC™ MOSFET製品ファミリーは、最大1500 V _DCの高DCリンク システムに最適です。このデバイスは、1500 V _DCシステムに対応するために、1700 V SiC MOSFETに比べ、十分に大きな過電圧マージンも提供します。また、ベンチマークのゲート閾値電圧4.5 Vを実現し、ハードコミュテーション用の堅牢なボディダイオードを備えています。.XT相互接合テクノロジーによりパッケージの熱性能はトップクラスであり、耐湿性にも優れています。

インフィニオンは、2000 V CoolSiC™ MOSFETに加えて、CoolSiC™ダイオードも近く発表します。まず、2024年第3四半期 (暦年)にTO-247PLUS 4ピンパッケージの2000 V CoolSiC™ ダイオード ポートフォリオ、2024年第4四半期 (暦年) にTO-247-2パッケージの2000 V CoolSiC™ダイオードポート フォリオを発表予定です。これらのダイオードは、特に太陽光発電アプリケーションに適しています。対応するゲートドライバーのポートフォリオも併せて提供しています。

供給状況について

2000 V CoolSiC™ MOSFET製品ファミリーは現在供給中です。また、同製品に適合する評価ボードEVAL-COOLSIC-2KVHCCも提供しています。設計者はこのボードを、すべての2000 V CoolSiC™ MOSFET  /2000 V ダイオードおよびEiceDRIVER™ Compactシングル チャネル 絶縁型ゲートドライバー 1ED31xx製品ファミリーのダブルパルスまたは連続PWM動作での評価をする正確な汎用テストプラットフォームとして使用できます。詳細は www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretesをご覧ください。