RCEC2000厚膜パワー抵抗器の技術解説 高耐圧・低インダクタンス・水冷対応で広がる設計自由度 （2026年Q3以降発売予定・先行情報）

1. 厚膜技術による低インダクタンス化

RCEC2000は、セラミック基板上に導電性ペーストを焼き付ける厚膜（Cermet）技術を採用しており、寄生インダクタンスを40nH以下に抑えることができます。巻線型抵抗器とは異なり、コイル状の構造を持たないため、スイッチング時に発生しやすいリンギング（電圧の振動）や過電圧を効果的に抑制。IGBTやSiC/GaNデバイスを用いた高速スイッチング回路でも、出力波形の安定性を確保できます。

2. 高耐圧・高絶縁性能

RCEC2000は標準仕様で5kVDCの耐電圧に対応し、さらにパルス電源のような高耐圧が求められる用途には12kVRMSに対応したHV（High Voltage）タイプも用意されています。絶縁性能を左右するクリープ距離（絶縁体表面を沿って電流が流れる最短距離）やクリアランス（空中の最短距離）も十分に確保されており、高電位が印加されるインバータや電源回路などでも、長期的な絶縁信頼性を確保できます。
特に注目すべきは、部分放電（絶縁体内部で微小な放電が発生する現象）に対する耐性です。RCEC2000は7kV印加時でも10pC以下という低いコロナ放電量を維持し、絶縁材の劣化を抑制。長期間にわたる安定動作が求められる産業機器や車載用途にも安心して使用できます。

3. 直線的な熱経路による高効率放熱

抵抗体からアルミナ基板、シリコーン封止を経てヒートシンクへと熱が直線的に伝わる構造により、発生した熱の97%以上を効率的にヒートシンクへ放熱できます。熱の流れが明確なため、熱設計のシミュレーションやヒートシンク選定が容易であり、設計工数の削減にもつながります。
水冷ヒートシンクと組み合わせることで、熱抵抗をさらに低減でき、EVインバータや大容量電源などの高電力密度アプリケーションにおいて、安定した動作と長寿命を実現します。

4. 高パワー密度と広い抵抗値レンジ

RCEC2000は、ヒートシンクに取り付けた製品底部温度85℃において最大2000Wの定格電力に対応。厚膜抵抗器としては非常に高い電力密度を実現しています。さらに、抵抗値は0.47Ωから1.5MΩまで幅広く対応しており、スナバ、ダンピング、放電用途まで多様なニーズに柔軟に応えます。
温度変化による抵抗値の変動を示す温度係数も100〜200ppm/℃と安定しており、温度変動の大きい環境下でも高い精度を維持できます。

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  外観図

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  外観寸法図

RCEC2000は、競合製品と比較して、以下の点で優れた特長を備えています。