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Infineon Technologies AG

CoolGaN™高効率・高周波・高信頼性を実現するGaNソリューションで、電源設計を革新。

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製品概要

インフィニオンのCoolGaN™は、従来のシリコン（Si）ベースのパワーデバイスを凌駕する性能を持つ、窒化ガリウム（GaN）技術を採用した高性能パワートランジスタです。高周波スイッチング、低オン抵抗、低ゲート電荷により、電力変換効率を大幅に向上させ、システムの小型化・軽量化・発熱低減に貢献します。特にサーバー電源、通信基地局、EV充電器、太陽光インバータなどの分野で導入が進んでおり、世界中の大手OEM・ODM企業に採用されています。インフィニオンはGaN市場において技術・品質・供給力で業界をリードしています。

主な機能・仕様一覧

高周波スイッチング：最大数MHzのスイッチング周波数に対応し、回路の小型化が可能
低オン抵抗・低ゲート電荷：高効率・低損失を実現し、発熱を抑制
堅牢な構造設計：高dv/dt耐性と過渡耐性により、信頼性を確保
ドライバー互換性：インフィニオン製Gate Driverとの最適な組み合わせで性能を最大化
JEDEC準拠・車載対応品あり：高信頼性・長寿命設計で産業・車載用途にも対応

詳細な技術情報はこちら(インフィニオン社 ホームページへ)

導入のメリット

困りごと解決策
電源回路の大型化・発熱高周波スイッチングで小型化・発熱低減
効率不足による電力ロス低オン抵抗・高速応答で変換効率を向上
信頼性・寿命への不安GaN特有の高耐性設計で長期安定動作を実現
ドライバーとの相性問題 インフィニオン製Gate Driverとの最適化設計で安心導入

ユースケース・導入事例

ユースケース①：サーバー電源（SMPS）

【ユースケース概要】
データセンター向けのサーバー電源では、電力密度と効率が重要です。 CoolGaN™は高周波スイッチングにより、電源の小型化と効率向上を 同時に実現します。

【主な機能】
最大2MHzのスイッチング周波数
低オン抵抗（<50mΩ）
高dv/dt耐性（>100V/ns）
インフィニオン製ドライバーとの高互換性

ユースケース②：通信基地局（5G）

【ユースケース概要】
5G基地局では、電源の高効率化と信頼性が求められます。
CoolGaN™は高速応答性と低損失により、安定した電力供給 を実現します。

【主な機能】
高速スイッチング（>1MHz）
低ゲート電荷で制御が容易
高温環境下でも安定動作
JEDEC準拠の高信頼性設計

ユースケース③太陽光インバータ（マイクロインバータ）

【ユースケース概要】
住宅用太陽光発電では、マイクロインバータの高効率・長寿命が求められます。
CoolGaN™は高周波動作と低損失により、発電効率と信頼性を向上させます。

【主な機能】
高周波スイッチング（>500kHz）
低オン抵抗・低ゲート電荷
高温耐性（最大150℃）
小型パッケージで設計自由度向上

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