CoolSiC™ MOSFET 「次世代の電動化を支える、CoolSiC™ MOSFET」高効率・高耐圧・高信頼性。EV・再生可能エネルギー・産業機器に最適なSiCパワーMOSFET。

Infineon Technologies AG

製品概要

CoolSiC™ MOSFETは、インフィニオンが提供するSiC（シリコンカーバイド）技術を採用した次世代パワー半導体です。従来のSiベースMOSFETと比較して、スイッチング損失の大幅な低減、高耐圧（400V〜3300V）、高温動作（最大200℃）を実現。EVのトラクションインバータ、オンボードチャージャー、太陽光インバータ、産業用電源など、効率と信頼性が求められるアプリケーションに最適です。世界中のOEM・Tier1で採用が進んでおり、車載規格AEC-Q101にも準拠しています。

主な機能・仕様一覧

高耐圧：400V〜3300Vのラインアップで高電圧アプリケーションに対応
低スイッチング損失：高速スイッチングによりシステム効率を最大化
高温動作対応：最大200℃のジャンクション温度で信頼性向上
車載対応：AEC-Q101準拠、EV用途に最適
多様なパッケージ：TO-247、D²PAK、EasyPACK™など豊富な選択肢

製品群

詳細な技術情報はこちら(インフィニオン社ホームページへ)

導入のメリット

困りごと	解決策
電力損失が大きく、熱設計が困難	低損失で発熱を抑え、冷却コストを削減
高電圧・高周波での動作が不安定	SiC特有の高速スイッチングで安定動作
車載用途での信頼性が不安	AEC-Q101準拠で高信頼性を確保
システムサイズを小型化したい	高効率により部品点数・サイズを削減

ユースケース・導入事例

ユースケース 1：DC高速EV充電器（150–350 kW級：モジュール方式）

【ユースケース概要】
19インチラックに30–75 kW級のサブユニットを積層するモジュラー設計が主流。CoolSiC™採用で高スイッチング速度×低損失を両立し、装置小型化（約1/3）と短時間充電に寄与した実例が報告されています。

【主な機能】
トレンチSiCによるハード/ソフト両スイッチング低損失
Q‑DPAK等の熱に強いパッケージで高密度実装
EiceDRIVER™で高CMTI・アクティブMiller・負V駆動の安全駆動

ユースケース 2：車載オンボードチャージャー（OBC）/双方向DC‑DC

【ユースケース概要】
OBC/DCDCはサイズ・重量・効率・ノイズの4要素最適化が不可欠。
1200 V M1Hは広いゲート駆動マージンと堅牢性で高周波化に強く、
750 V G2はPTO耐性や低RDS(on)強化で車載/産業の双方に適合。

【主な機能】
M1H：ゲート電圧ウィンドウ拡大・短絡耐量・低損失（設計余裕） .XT/Q‑DPAK/TO‑247‑4で熱/寄生を低減、設計容易化
750 V G2：AEC‑Q101に準拠し、RDS(on)×QossやQgd/Qgs比の改善で高効率化を後押し

ユースケース 3：太陽光インバータ／蓄電（ESS）／UPS

【ユースケース概要】
PV/ESS/UPSは軽負荷を含む広範囲で高効率と信頼性が必要。
SiCは低デバイス容量×温度独立な低損失でスイッチング周波数の引き上げと全負荷域の効率改善に貢献。

【主な機能】
低Qg/低Cossで周波数アップとEMI抑制を両立
低Qrrボディダイオードで双方向/ブースト段の損失を削減
1200/1700/2000 Vクラスで高電圧システムに適合

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