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Infineon Technologies AG

 Gate Driver 高効率・高信頼性を実現するインフィニオンのGate Driverで、次世代パワーエレクトロニクスを加速。

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製品概要

インフィニオンのGate Driverは、MOSFET、IGBT、SiC、GaNなどのパワーデバイスを高精度かつ安全に制御するために設計されたドライバーICです。車載、産業機器、再生可能エネルギー、家電など幅広い分野で採用されており、低消費電力、高絶縁耐圧、柔軟な制御機能を備えています。特に、AEC-Q100認証取得済みの車載向け製品は、EV/HEVのインバータやDC-DCコンバーターに最適です。

主な機能・仕様一覧

高絶縁耐圧: 最大5kVrmsの絶縁性能で安全性を確保
デュアルチャネル対応: ハーフブリッジ構成に最適
デッドタイム制御: クロスコンダクション防止
UVLO(低電圧ロックアウト): 安定動作を保証
フォールト出力: 異常検知と保護機能を搭載

製品群

Non-Isolation(非絶縁型)
電源と制御回路が直接接続される構成で、低電圧・低コストなアプリケーションに最適。小型で応答速度が速く、産業用モーターや家電などノイズが少ない環境で広く使用されます。

Level-Shift(レベルシフト型)
ハイサイドとローサイド間の電位差を吸収し、ハーフブリッジ構成での駆動を可能にするドライバー。コスト効率が高く、インバータや電源回路で広く採用されています。

Galvanic Isolation(ガルバニック絶縁型)
制御回路とパワー回路間を完全に電気的に絶縁。高電圧環境や安全性が求められる車載・産業用途に最適で、信号の絶縁伝送に光やトランスを使用します。

詳細な技術情報はこちら(インフィニオン社 ホームページへ)

導入のメリット

困りごと解決策
高電圧環境での安全性確保高絶縁耐圧設計で安全性向上
高速スイッチングによるノイズデッドタイム制御でEMI低減
多様なパワーデバイスへの対応Si, SiC, GaNすべてに対応可能
車載規格への準拠AEC-Q100認証取得済み製品を提供

ユースケース・導入事例

ユースケース①:EVインバータ制御

【ユースケース概要】
電気自動車(EV)のインバータ制御では、高電圧・高周波でMOSFETやIGBTを駆動する必要があります。
インフィニオンの絶縁型Gate Driverは、車載規格に準拠し、高い信頼性と安全性を提供します。

【主な機能】
絶縁型ドライバー(最大1200V対応)
デッドタイム制御によるクロスコンダクション防止
フォールト出力による異常検知
AEC-Q100認証取得済み

ユースケース②:太陽光パワーコンディショナ(PCS)

【ユースケース概要】
再生可能エネルギー分野では、SiCパワーデバイスを用いた高効率変換が求められます。
インフィニオンのGate Driverは、SiC対応で高速スイッチングと低損失を両立します。

【主な機能】
デュアルチャネル対応(ハーフブリッジ構成)
高dv/dt耐性(>50V/ns)
温度モニタリング機能
SiC MOSFET最適化設計

ユースケース③:産業用モータードライブ

【ユースケース概要】
工場設備やロボット制御では、ノイズ環境下でも安定した モーター駆動が求められます。インフィニオンの非絶縁型Gate Driverは、 高ノイズ耐性と保護機能を備えています。

【主な機能】
高ノイズ耐性設計(CMTI > 100kV/μs)
UVLO(低電圧ロックアウト)
フォールト出力と短絡保護
小型パッケージで省スペース化

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