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高速ボディダイオード内蔵スーパージャンクションMOSFET  600V CoolMOS™ CFD7リリース

高速ボディダイオード内蔵スーパージャンクションMOSFET  600V CoolMOS™ CFD7リリース
600V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFETは、高速ボディダイオードを内蔵した、インフィニオンの最新の大電力スーパージャンクションMOSFETテクノロジーであり、CoolMOS™ 7シリーズのラインアップを補完するものです。大電力スイッチング電源アプリケーション、たとえばサーバ、テレコム、EV充電ステーションなどの共振トポロジに理想的な選択です。

回路図の説明

回路図の説明
【主な特長】
• きわめて高速なボディダイオード
• クラス最良の逆回復電荷(Qrr)
• 逆方向ダイオードのdv/dtおよびdif/dtの堅牢性向上
• きわめて低いFOM(RDS(on) x Qg)および Eoss
• クラス最高のRDS(on)/パッケージの組み合わせ
【主な利点】
• クラス最高のハードコミュテーション堅牢性
• 共振トポロジに適したきわめて高い信頼性
• すぐれた使いやすさと性能のトレードオフを実現しながら、き わめて高い効率
• より高い電力密度のソリューションに対応可能


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新しいCoolMOS™ CFD7は、CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFETファミリーの後継製品です。CoolMOS™ CFD7は、ゲート電荷(Qg)の低減、ターンオフ特性の向上、競合製品と比べて最大69%の逆回復電荷(Qrr)低減、さらに市販品の中で最小の逆回復時間 (trr)などを実現しています。このような特長により、CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFETは、LLCおよびZVSフェーズシフトフルブリッジなどのソフトスイッチングトポロジにおいて、きわめて高い効率とクラス最高の信頼性を提供します。さらに、CoolMOS™ CFD7は、RDS(on)最適化によって、電力密度向上を実現しました。

この最新の高速ボディダイオードシリーズは、デザインインのプロセスでの実装の容易さを損なうことなく、高速スイッチングテクノロジーの長所と、すぐれたコミュテーション堅牢性をあわせ持っており、競合製品と比べて明確な利点があります。

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