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産業機器、重電、電源向け製品

CoolSiC™モジュール

CoolSiC™モジュール
SiC(Silicon Carbide)ダイオードとトランジスタは、高出力密度と高効率を目指す近代的で革新的なパワーエレクトロニクスソリューションの重要なコンポーネントです。
高出力密度と高効率の実現は、チップをスタンドアロンコンポーネントとして使用、またはパワーモジュール内のシリコンパワーデバイスと組み合わせて使用​​して達成することができます。特にSiCダイオードを使用する事によりIGBTの能力をさらに拡大することを可能にしております。

インフィニオンは、量産の経験と互換性のノウハウに基づき、革新的なCoolSiC™MOSFET技術を導入し、根本的に新しい製品設計を可能にします。 IGBTやMOSFETなどの従来のSiベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETは一連の利点を提供します。 CoolSiC™MOSFETの最初の製品は、1200Vターゲット太陽電池インバータ、バッテリ充電、およびエネルギー貯蔵です。 CoolSiC™MOSFETは、これまでにないレベルの効率とシステムの柔軟性を実現するシステム設計者にとって最高の性能、信頼性、使いやすさを実現します。

回路図の説明

回路図の説明
シリコンカーバイド(SiC)は、ご設計者様にかつてないレベルの効率、システムの柔軟性を、設計自由度をご提供します。 IGBTやMOSFETなどの従来のシリコン(Si)ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETは一連の利点を提供します。これには、1200Vスイッチで見られる最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、内部コミュテーションプルーフボディダイオードの逆回復損失、温度に依存しない低スイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオン状態特性が含まれます。
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