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シリコンカーバイド CoolSiC™ MOSFET、モジュール

シリコンカーバイド CoolSiC™ MOSFET、モジュール
SiC（Silicon Carbide）ダイオードとトランジスタは、高出力密度と高効率を目指す近代的で革新的なパワーエレクトロニクスソリューションの重要なコンポーネントです。
高出力密度と高効率の実現は、チップをスタンドアロンコンポーネントとして使用、またはパワーモジュール内のシリコンパワーデバイスと組み合わせて使用​​して達成することができます。特にSiCダイオードを使用する事によりIGBTの能力をさらに拡大することを可能にしております。

インフィニオンは、量産の経験と互換性のノウハウに基づき、革新的なCoolSiC™MOSFET技術を導入し、根本的に新しい製品設計を可能にします。 IGBTやMOSFETなどの従来のSiベースのスイッチと比較して、SiC MOSFETは一連の利点を提供します。 CoolSiC™MOSFETの最初の製品は、1200Vターゲット太陽電池インバータ、バッテリ充電、およびエネルギー貯蔵です。 CoolSiC™MOSFETは、これまでにないレベルの効率とシステムの柔軟性を実現するシステム設計者にとって最高の性能、信頼性、使いやすさを実現します。

回路図の説明

回路図の説明
シリコンカーバイド（SiC）は、これまでにないレベルの効率性と信頼性を実現するために、設計者に新たな柔軟性をもたらします。IGBTやMOSFETなどの従来のシリコン（Si）ベースの高電圧（> 600V）スイッチと比較して、SiC MOSFETは一連の利点を提供します。これには、1200Vスイッチで見られる最も低いゲート電荷とデバイス容量レベル、逆並列ダイオードの逆回復損失、温度に依存しない低スイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオン状態特性が含まれます。
インフィニオンの独自の1200V SiC MOSFETは、さらなる利点をもたらします。最先端のトレンチ設計、クラス最高のスイッチングと導通損失、最高レベルのトランスコンダクタンス（ゲイン）、Vth = 4 Vのスレッショルド電圧と短絡耐性により、優れたゲート酸化物の信頼性が実現します。これにより、標準ドライバを使用してIGBTのように駆動できるLLCおよびZVSのようなハードおよび共振スイッチングトポロジに理想的な堅牢なSiC MOSFETが得られます。 Siベースのスイッチで到達不可能なスイッチング周波数で最高レベルの効率を実現し、システムの小型化、高密度化、高寿命化を実現します。
＜利点＞
•冷却効率を向上させる最高の効率
•より長い寿命と高い信頼性
•高周波数動作
•システムコストの削減
•電力密度の向上
•システムの複雑さの軽減
•設計と実装の容易さ
＜特徴＞
•デバイスの静電容量が低い
•温度に依存しないスイッチング損失
•逆回復電荷の低い真性ダイオード
•スレッショルドフリーのオン状態特性
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