民生、家電、通信機器向け製品
OptiMOS™ power MOSFET Source-Down technology
PQFN (Power Quad Flat No-lead)で業界トップのRDS(on)と優れた熱性能を実現しました。
インフィニオンのOptiMOS™低電圧パワーMOSFETは、ソースダウン技術により、革新的で高性能なPQFNパッケージ コンセプトを実現しています。
この新しいパッケージでは、内部でのシリコンチップの上下が反転しています。
これにより、ドレイン電極ではなく、ソース電極がサーマルパッド越しにパッケージの裏面に近接しております。
回路図の説明
この新技術は、ゲート端子の配置が従来のPQFNパッケージと同じソースダウン版と、並列配置に利点があるセンターゲート版の2種類のパッケージ展開になります。
ソースダウンは、他のソリューションに比べ、低いRDS(on)や高い放熱性などの利点があります。
さらに、ソースダウン構造は、アクティブ冷却や熱管理により効果的なレイアウトを実現しています。
ソースダウン構造のPQFN (3.3mm x 3.3㎜) パッケージを利用したOptiMOS™低電圧パワーMOSFETファミリーのターゲットアプリケーションは、モータコントロールおよびドライブ、テレコム、SMPS、サーバーです。
【主な特長】
●小型パッケージで低RDS(on)を実現
●低ゲート電荷
●ノーマルレベル (10 V)、ロジックレベル (4.5 V) 対応
【主な利点】
・ボードの小型化
・スイッチング損失および駆動損失の低減
・ゲートドライブの柔軟性 （詳しくはコチラ）
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・ソースダウンテクノロジー 技術プレゼン資料
