インフィニオンは、優れた性能と信頼性を兼ね備えた幅広い製品ラインナップを取り揃えており、お客様のモーターシステムの安全性を確実にします。モーターインバーターの各容量向けに最適なソリューションをご提案します。

インフィニオンのEasy 1BおよびEasy 2Bファミリーには、1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7およびエミッタ制御ダイオード7技術が採用されています。製品ラインナップとしては、10 Aから100 A までのPIM (Power Integrated Module) および6パック構成を取り揃えています。
本チップは、特に産業用ドライブアプリケーション向けに最適化されており、はるかに低い導通損失、より高い電力密度、よりソフトなスイッチングを実現しています。

EiceDRIVER™ X3 Enhanced はDESAT、ミラークランプ、ソフトオフ、I2Cコンフィギュラビリティなどを備えた絶縁型ゲートドライバーで、外付け抵抗による保護機能の設定が可能なX3 Analog 1ED34xxファミリーとI2C Busを介して27のパラメータ設定が可能なX3 Digital 1ED38xxファミリーがあります。本ゲートドライバファミリーは柔軟性の高い保護機能やモニタリング機能を提供します。これにより、予知保全などの革新的なユースケースが可能になります。

SiC製のMOSFETには、SiCの物性値による最も低いゲート電荷およびデバイス容量レベル、逆並列ダイオードの逆回復損失ゼロ、温度依存しない低スイッチング損失、およびスレッショルドフリーのオン特性など、さまざまな利点があります。
インフィニオンのCoolSiC™MOSFETは、さらに独自の利点があります。最先端のトレンチ設計、同クラスで最も低いスイッチング損失および導通損失、最高の相互コンダクタンスレベル (ゲイン)、Vth=4Vのしきい値電圧、短絡耐量によって、ゲート酸化膜の優れた信頼性が実現されています。まさに信頼できる革命です。
これにより、LLCやZVSのようなハードスイッチングや共振スイッチングのトポロジーに最適で、使いやすいドライバでIGBTやMOSFETのように駆動することができる、堅牢なSiC製のMOSFET技術が実現されています。高いスイッチング周波数で最高レベルの効率を実現し、システムの小型化、電力密度の向上、高い寿命信頼性を可能にします。

PIMおよび6パック構成のEcono 2および3ファミリーは、TRENCHSTOP™ IGBT7モジュールのラインナップを拡充した最新製品です。
TRENCHSTOP™ IGBT7を搭載したEconoPIM™ 2および3のモジュールの製品ラインナップは、25Aから200Aまでの範囲に対応しています。
従来のIGBT4チップ世代と比較して、高電力密度および高スイッチング周波数で、冷却の手間が軽減されます。例えばEconoPACK™ 2 FS150R12N2T7では、ヘビーデューティーで最大37kWに達します。全体的な使用条件を変えずに、同等もしくはそれ以上の製品寿命になります。

EconoDUAL™ 3モジュールは、最新の TRENCHSTOP™ IGBT7 世代を搭載し、1200V の製品ラインナップを 600A から 900A まで拡張しています。 TRENCHSTOP™ IGBT7技術との組み合わせにより、損失の大幅な低減、高レベルの制御性とソフトなスイッチング、高い短絡耐量を実現しています。過負荷時の最大動作温度175℃にあわせて、高い効率と電力密度を実現し、システムの簡素化とコスト削減を可能にします。